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IPB64N25S320ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 64 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
560 En Stock
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB64N25S320ATMA1
No. Parte Newark13AC9030
Rango de ProductoOptiMOS T
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250V
Intensidad Drenador Continua Id64A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0175ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia300W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS T
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IPB64N25S320ATMA1 es un transistor de potencia OptiMOS®-T. La aplicación potencial incluye inversor híbrido, CD/CD e inyección piezoeléctrica.
- Canal N: modo de mejora, paquetes robustos con calificación AEC y calidad y confiabilidad superiores
- 100% probado en Avalancha, la carga total optimizada de la puerta permite etapas de salida del controlador más pequeñas
- El voltaje de ruptura de la fuente de drenaje es de 250 V mín. (VGS=0 V, ID= 1 mA, Tj = 25 °C)
- La resistencia en estado encendido de la fuente de drenaje es de 20 mohm máx. (VGS=10 V, ID=64 A, Tj = 25 °C)
- La corriente de drenaje continuo es de 64A máx. (TC = 25 °C, VGS = 10V), la disipación de potencia es de 30 W
- Rango de voltaje de umbral de puerta de 2.0 a 4.0V (VDS=V GS, ID=270µA, Tj = 25 °C)
- Bajas pérdidas de potencia de conmutación y conducción para una alta eficiencia térmica
- El tiempo de subida es de 20 ns (VDD=100V, VGS=10V, ID=25 A, RG=1.6ohm, Tj = 25 °C)
- El tiempo de caída es de 12ns tipo (VDD=100V, VGS=10V, ID=25A, RG=1.6ohm, Tj = 25°C)
- Paquete PG-TO263-3-2, rango de temperatura de funcionamiento de -55 a +175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
64A
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0175ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS T
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IPB64N25S320ATMA1
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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