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IPD320N20N3GATMA1

Name: INFINEON IPD320N20N3GATMA1
Brand: INFINEON
SKU: 47W3471
Availability: InStock

MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial

Fecha y lote

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FabricanteINFINEON

No. Parte FabricanteIPD320N20N3GATMA1

No. Parte Newark47W3471

También conocido comoIPD320N20N3 G, SP001127832

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Información del producto

FabricanteINFINEON

No. Parte FabricanteIPD320N20N3GATMA1

No. Parte Newark47W3471

También conocido comoIPD320N20N3 G, SP001127832

Hoja de datos técnicos

Data Sheet

Tipo de CanalN Channel

Transistor, PolaridadCanal N

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200

Intensidad Drenador Continua Id34

Resistencia de Activación Rds(on)0.027ohm

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.032ohm

Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)

Montaje de TransistorSurface Mount

Voltaje de Prueba Rds(on)10

Disipación de Potencia Pd136W

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3

Disipación de Potencia136

No. de Pines3Pines

Temperatura de Trabajo Máx.175

Rango de Producto-

Calificación-

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Resumen del producto

El IPD320N20N3 G es un MOSFET de potencia de canal N de 200 V ideal para la conmutación de alta frecuencia, logrando un rendimiento excelente en aplicaciones como la rectificación síncrona para SMPS de CA-CD y el control del motor. El MOSFET OptiMOS™ está optimizado para la robustez de la conmutación dura, logrando Qrr bajo y cargas de recuperación inversa pico más bajas. Se trata de tecnologías de referencia líderes en rendimiento, perfectamente adecuadas para la rectificación síncrona en sistemas de 48 V, convertidores CD-CD, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) e inversores para motores de CD.

La más alta eficiencia
La más alta densidad de potencia
Menor consumo de espacio en la tarjeta
Se requieren mínimos dispositivos para paralelaje
Mejora de costos del sistema
Amigable con el medio ambiente
Fácil de diseñar en

Especificaciones técnicas

Tipo de Canal

N Channel

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

200

Resistencia de Activación Rds(on)

0.027ohm

Diseño de Transistor

TO-252 (DPAK)

Voltaje de Prueba Rds(on)

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente

No. de Pines

3Pines

Rango de Producto

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

MSL 1 - Unlimited

Transistor, Polaridad

Canal N

Intensidad Drenador Continua Id

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente

0.032ohm

Montaje de Transistor

Surface Mount

Disipación de Potencia Pd

136W

Disipación de Potencia

136

Temperatura de Trabajo Máx.

175

Calificación

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

No SVHC (21-Jan-2025)

Documentos técnicos (3)

Simulation Model EN

Technical Data Sheet EN

Legislación y medioambiente

US ECCN:EAR99

EU ECCN:Unknown

Conforme a RoHS:Sí

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)

Descargue el certificado de cumplimiento del producto

Certificado de conformidad del producto

Trazabilidad del producto