Imprimir página
IPG16N10S461ATMA1
MOSFET Dual, Doble Canal N, 100 V, 16 A, 0.061 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG16N10S461ATMA1
No. Parte Newark34AC1694
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
Hoja de datos técnicos
No está disponible
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG16N10S461ATMA1
No. Parte Newark34AC1694
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalDoble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Intensidad Drenador Continua Id16A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N16A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.053ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.061ohm
Montaje de TransistorSurface Mount
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTDSON
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Núm. de Contactos3Pines
Disipación de Potencia29W
Disipación de Potencia de Canal N29W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
16A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.061ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Disipación de Potencia
29W
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
OptiMOS T2 Series
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Doble Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Intensidad Drenador Continua Id
16A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.053ohm
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
TDSON
Núm. de Contactos
3Pines
Disipación de Potencia de Canal N
29W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto