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IPP147N12N3GXKSA1
MOSFET Transistor, N Channel, 41 A, 120 V, 0.0126 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP147N12N3GXKSA1
No. Parte Newark50Y2064
Hoja de datos técnicos
262 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.900 |
| 10+ | $1.370 |
| 100+ | $0.823 |
| 500+ | $0.676 |
| 1000+ | $0.636 |
| 2500+ | $0.601 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP147N12N3GXKSA1
No. Parte Newark50Y2064
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds120V
Intensidad Drenador Continua Id41A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0126ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia107W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
120V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
41A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0126ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
107W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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