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IPP200N15N3GXKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP200N15N3GXKSA1
No. Parte Newark60R2760
También conocido comoIPP200N15N3 G, SP000680884
Hoja de datos técnicos
140 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.330 |
| 10+ | $1.490 |
| 100+ | $1.360 |
| 500+ | $1.280 |
| 1000+ | $1.220 |
| 2500+ | $1.150 |
| 5000+ | $1.140 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP200N15N3GXKSA1
No. Parte Newark60R2760
También conocido comoIPP200N15N3 G, SP000680884
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.016ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd150W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IPP200N15N3 G es un MOSFET de potencia de canal N de 150 V que logra una reducción en RDS (encendido) del 40% y del 45% en la Figura de Mérito (FOM). El MOSFET OptiMOS™ ofrece una alta eficiencia del sistema y el RDS (on) más bajo de la industria dentro de las clases de voltaje. Es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y tecnología optimizada para convertidores CD-CD.
- Excelente rendimiento de conmutación
- Amigable con el medio ambiente
- Eficiencia incrementada
- La más alta densidad de potencia
- Se requiere menos paralelismo
- Menor consumo de espacio de tablero
- Fácil de diseñar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia de Activación Rds(on)
0.016ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
150W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IPP200N15N3GXKSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto