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IPW60R017C7XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW60R017C7XKSA1
No. Parte Newark49AC0306
Rango de ProductoCoolMOS C7
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW60R017C7XKSA1
No. Parte Newark49AC0306
Rango de ProductoCoolMOS C7
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id109
Resistencia de Activación Rds(on)0.015ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.017ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia446
Disipación de Potencia Pd446W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS C7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
600V CoolMOS™ C7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle suitable for use in PFC stages and PWM stages (TTF, LLC) for high power/performance SMPS e.g. computing, server, telecom, UPS and solar.
- Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC)
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns
- Increased efficiency due to best in class FOMRDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg
- Best in class RDS(on)/package
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
- Increased economies of scale by use in PFC and PWM topologies in the application
- Higher dv/dt limit enables faster switching leading to higher efficiency
- Enabling higher system efficiency by lower switching losses
- Increased power density solutions due to smaller packages
- Higher switching frequencies possible without loss in efficiency due to low Eoss and Qg
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.015ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
446
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS C7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
109
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.017ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Disipación de Potencia Pd
446W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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