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IPW60R041C6FKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW60R041C6FKSA1
No. Parte Newark30T1850
También conocido comoIPW60R041C6, SP000718886
Hoja de datos técnicos
470 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $12.800 |
| 10+ | $11.230 |
| 25+ | $10.720 |
| 50+ | $10.220 |
| 100+ | $9.710 |
| 480+ | $9.400 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW60R041C6FKSA1
No. Parte Newark30T1850
También conocido comoIPW60R041C6, SP000718886
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id77.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.041ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.037ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd481W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia481
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IPW60R041C6 is a 600V N-channel CoolMOS™ Power MOSFET designed according to the Superjunction (SJ) principle with high class innovation. The C6 MOSFET provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler. CoolMOS™ Superjunction power MOSFET offers a significant reduction of conduction, switching and driving losses and enable high power density and efficiency for superior power conversion systems.
- Easy to control of switching behaviour
- Very high commutation ruggedness
- Better light load efficiency compared to C3
- Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
- Improved power density
- Improved reliability
- Improved efficiency in hard switching applications
- Reduces possible ringing due to PCB layout
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
77.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.037ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
481
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.041ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
481W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPW60R041C6FKSA1
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto