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IPW65R045C7FKSA1.
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW65R045C7FKSA1.
No. Parte Newark27AC6752
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 25+ | $9.880 |
| 50+ | $8.680 |
| 100+ | $8.540 |
| 480+ | $8.410 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW65R045C7FKSA1.
No. Parte Newark27AC6752
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id46
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04
Resistencia de Activación Rds(on)0.04ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd227W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-247
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia227
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
46
Resistencia de Activación Rds(on)
0.04ohm
Disipación de Potencia Pd
227W
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia
227
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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