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IPW65R110CFDAFKSA1
MOSFET, N-CH, AEC-Q101, 650V, TO-247-3
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW65R110CFDAFKSA1
No. Parte Newark13AC9100
Rango de ProductoCoolMOS CFDA
Hoja de datos técnicos
701 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.910 |
| 10+ | $7.470 |
| 25+ | $7.150 |
| 50+ | $6.820 |
| 100+ | $6.500 |
| 480+ | $5.920 |
| 720+ | $5.330 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW65R110CFDAFKSA1
No. Parte Newark13AC9100
Rango de ProductoCoolMOS CFDA
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id31.2A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.099ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia277.8W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS CFDA
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
277.8W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS CFDA
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
31.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.099ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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