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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF100P218AKMA1
No. Parte Newark22AJ2196
Rango de ProductoStrongIRFET
Hoja de datos técnicos
281 En Stock
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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $8.040 |
10+ | $8.010 |
25+ | $5.220 |
50+ | $4.890 |
100+ | $4.560 |
250+ | $4.280 |
800+ | $3.990 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF100P218AKMA1
No. Parte Newark22AJ2196
Rango de ProductoStrongIRFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id209A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0011ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.8V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia556W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoStrongIRFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
209A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0011ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.8V
Disipación de Potencia
556W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto