Imprimir página
IRF3205ZPBF
MOSFET de Potencia, Automotriz, Canal N, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF3205ZPBF
No. Parte Newark37J1434
También conocido comoSP001574672
Hoja de datos técnicos
2,583 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.711 |
| 10+ | $0.711 |
| 100+ | $0.649 |
| 500+ | $0.649 |
| 1000+ | $0.599 |
| 3000+ | $0.599 |
| 10000+ | $0.599 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.71
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF3205ZPBF
No. Parte Newark37J1434
También conocido comoSP001574672
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id110A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0065ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0065ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd170W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia170W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF3205ZPBF es un HEXFET® N-canal Power MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr extremadamente baja resistencia de encendido por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura operativa de unión de 175°C, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalancha repetitiva mejorada. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0065ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
110A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0065ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
170W
Disipación de Potencia
170W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRF3205ZPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto