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IRF520NPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF520NPBF
No. Parte Newark19K8210
También conocido comoSP001571310
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.709 |
| 10+ | $0.705 |
| 100+ | $0.405 |
| 500+ | $0.391 |
| 1000+ | $0.381 |
| 4000+ | $0.374 |
| 10000+ | $0.373 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF520NPBF
No. Parte Newark19K8210
También conocido comoSP001571310
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id9.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.2ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd48W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia47W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF520NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N con extremadamente baja resistencia a la conexión por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
- Tecnología de proceso avanzada
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9.7A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.2ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
48W
Disipación de Potencia
47W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto