Imprimir página
IRF5210PBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
8,225 En Stock
¿Necesita más?
64 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
8161 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.070 |
| 10+ | $2.780 |
| 100+ | $1.440 |
| 500+ | $1.180 |
| 1000+ | $1.150 |
| 3000+ | $1.110 |
| 5000+ | $1.100 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.07
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5210PBF
No. Parte Newark63J7311
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id40A
Resistencia de Activación Rds(on)0.06ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd200W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia200W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF5210PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal P. Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja de 0n por área de silicio.
- Tecnología de proceso avanzada
- Nueva resistencia ultra baja encendido
- Conmutación rápida
- Clasificación dv/dt dinámica
- Avalancha completa
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.06ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
40A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
200W
Disipación de Potencia
200W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto