Imprimir página
IRF5210STRLPBF
MOSFET de Potencia, HEXFET, Canal P, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5210STRLPBF
No. Parte Newark40M7918
También conocido comoSP001554020
Hoja de datos técnicos
3,121 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.280 |
| 10+ | $2.090 |
| 25+ | $1.930 |
| 50+ | $1.930 |
| 100+ | $1.930 |
| 250+ | $1.930 |
| 500+ | $1.930 |
| 1600+ | $1.930 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.28
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5210STRLPBF
No. Parte Newark40M7918
También conocido comoSP001554020
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id38
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Resistencia de Activación Rds(on)0.06ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd3.8W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia3.8
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF5210STRLPBF es un MEXFET de potencia de canal P único HEXFET® que ofrece este diseño con una temperatura de operación de unión de 150°C, velocidad de conmutación rápida y clasificación de avalancha repetitiva mejorada. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de otras aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Ultra baja resistencia de encendido
- Conmutación rápida
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
38
Resistencia de Activación Rds(on)
0.06ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
3.8W
Disipación de Potencia
3.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto