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IRF540NPBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 33 A, 44 mohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF540NPBF.
No. Parte Newark26AC0594
También conocido comoSP001561906
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.160 |
| 10+ | $0.841 |
| 100+ | $0.762 |
| 500+ | $0.710 |
| 1000+ | $0.676 |
| 4000+ | $0.662 |
| 10000+ | $0.639 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF540NPBF.
No. Parte Newark26AC0594
También conocido comoSP001561906
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id33
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente44
Resistencia de Activación Rds(on)0.044ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd130mW
Diseño de TransistorTO-220AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia130
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
El IRF540NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal N de 100 V en el paquete TO-220AB. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.
- Voltaje drenaje-fuente Vds de 100V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 44mohm con Vgs de 10V
- Disipación de potencia Pd de 130W a 25 °C
- Corriente continua de drenaje Id de 33A en Vgs 10V y 25 ° C
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
44
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
130mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
33
Resistencia de Activación Rds(on)
0.044ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia
130
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto