Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
11,560 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $1.530 |
10+ | $1.490 |
100+ | $0.694 |
500+ | $0.578 |
1000+ | $0.530 |
4000+ | $0.497 |
10000+ | $0.463 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.53
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF640NPBF
No. Parte Newark63J7351
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente150
Resistencia de Activación Rds(on)0.15ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd150W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF640NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal N de 200 V en el paquete TO-220AB. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.
- Voltaje drenaje-fuente Vds de 200V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 150mohm
- Disipación de potencia Pd de 150W a 25 °C
- Corriente continua de drenaje Id de 18A en Vgs 10V y 25 ° C
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
150
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia de Activación Rds(on)
0.15ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
150W
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRF640NPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto