Imprimir página
49 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $1.930 |
10+ | $1.770 |
25+ | $1.770 |
50+ | $1.630 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.93
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF6717MTRPBF
No. Parte Newark34AC1776
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id38
Resistencia de Activación Rds(on)950µohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1250µohm
Diseño de TransistorDirectFET MX
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Disipación de Potencia96
Disipación de Potencia Pd96W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IRF6717MTRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™ de canal N único en un paquete DirectFET™ MX ideal para convertidores CD-CD de núcleo de CPU, LED, control de motor y portátiles.
- Clasificación de alta corriente
- Capacidad de enfriamiento de dos lados
- Nivel de calificación estándar de la industria
- Capacidad de carga de alta corriente
- Rendimiento térmico óptimo
- Factor de forma compacto y alta eficiencia
- Amigable con el medio ambiente
- Baja conducción y pérdidas de conmutación.
- Optimizado para conmutación de alta frecuencia
- Optimizado para sincronización. Socket FET de sincronización. convertidor de moneda
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia de Activación Rds(on)
950µohm
Diseño de Transistor
DirectFET MX
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
96
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
38
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1250µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
Disipación de Potencia Pd
96W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto