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IRF7314TRPBF
MOSFET Dual, Canal P, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.049 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7314TRPBF
No. Parte Newark42Y0406
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5.3
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P5.3
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.049
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente49
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Alternativas para el número de pieza IRF7314TRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
The IRF7314TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Generation V technology
- Ultra low ON-resistance
- Surface-mount device
- Fully avalanche rated
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
5.3
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
49
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5.3
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.049
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto