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IRF7319TRPBF.
MOSFET Dual, Canal doble N y doble P, 30 V, 30 V, 6.5 A, 4.9 A, 29 mohm
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7319TRPBF.
No. Parte Newark26AC0627
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal doble N y doble P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Intensidad Drenador Continua Id6.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente29mohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente58mohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal doble N y doble P
Intensidad Drenador Continua Id
6.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4.9A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
58mohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
29mohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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