IRF7341TRPBF

El IRF7341TRPBF es un MOSFET de doble canal N que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia ON posible por área de silicio. Este beneficio se combina con la rápida velocidad de conmutación y el dispositivo resistente. El HEXFET Power MOSFET es un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El SO-8 se ha modificado a través de un marco de plomo personalizado para características térmicas mejoradas y capacidad de doble matriz, lo que lo hace ideal en una variedad de aplicaciones de energía. Con estas mejoras, se pueden usar múltiples dispositivos en una aplicación con un espacio de placa dramáticamente reducido.

• Tecnología de generación V
• Ultra baja resistencia de encendido
• Dispositivo de montaje en superficie
• Clasificación dv/dt dinámica
• Rendimiento de cambio rápido