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IRF9358TRPBF
MOSFET Dual, Canal P, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF9358TRPBF
No. Parte Newark25T5524
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001575404
Hoja de datos técnicos
2,124 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.683 |
| 10+ | $0.683 |
| 25+ | $0.626 |
| 50+ | $0.626 |
| 100+ | $0.578 |
| 250+ | $0.578 |
| 500+ | $0.578 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF9358TRPBF
No. Parte Newark25T5524
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001575404
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Intensidad Drenador Continua Id9.2A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N9.2
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P9.2
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.013
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.013
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF9358TRPBF es un MOSFET de doble canal P diseñado para el interruptor de carga y descarga para aplicaciones de baterías de PC portátiles.
- Compatibilidad con múltiples proveedores
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9.2A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
9.2
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.013
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
9.2
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.013
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRF9358TRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto