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IRFH7545TRPBF
MOSFET, N-CH, 60V, 85A, 150DEG C, 83W
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFH7545TRPBF
No. Parte Newark12AC9742
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.140 |
| 10+ | $0.814 |
| 25+ | $0.801 |
| 50+ | $0.788 |
| 100+ | $0.774 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.14
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFH7545TRPBF
No. Parte Newark12AC9742
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id85
Resistencia de Activación Rds(on)0.0043ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5200µohm
Diseño de TransistorPQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7
Disipación de Potencia Pd83W
Disipación de Potencia83
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™ de canal N único adecuado para uso en aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas, aplicaciones de accionamiento de motor BLDC, circuitos alimentados por batería, topologías de medio puente y puente completo, aplicaciones de rectificador síncrono, fuentes de alimentación de modo resonante, O-ing y energía redundante conmutadores, convertidores CD/CD y CA/CD y aplicaciones de inversores CD/CA.
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
- Calificación del producto según el estándar JEDEC
- Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación de silicio anterior
- El arreglo de pines estándar permite un reemplazo directo
- Nivel de calificación estándar de la industria
- Alto rendimiento en aplicaciones de baja frecuencia
- Aumento de la densidad de potencia
- Proporciona a los diseñadores flexibilidad para seleccionar el dispositivo más óptimo para su aplicación.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0043ohm
Diseño de Transistor
PQFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
83W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
StrongIRFET, HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
85
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5200µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7
Disipación de Potencia
83
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto