Imprimir página
IRFH8303TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFH8303TRPBF
No. Parte Newark45X9510
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET
También conocido comoSP001554820
Hoja de datos técnicos
75 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.323 |
| 10+ | $0.323 |
| 25+ | $0.323 |
| 50+ | $0.323 |
| 100+ | $0.323 |
| 250+ | $0.323 |
| 500+ | $0.323 |
| 1000+ | $0.323 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.32
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFH8303TRPBF
No. Parte Newark45X9510
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET
También conocido comoSP001554820
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1100µohm
Resistencia de Activación Rds(on)900µohm
Diseño de TransistorPQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd156W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia156
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IRFH8303TRPBF
3 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1100µohm
Diseño de Transistor
PQFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
StrongIRFET, HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
156W
Disipación de Potencia
156
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto