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IRFP064NPBF
MOSFET de Potencia, Propósito General, Canal N, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP064NPBF
No. Parte Newark63J6841
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id98A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.008ohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia150W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
IRFP064NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de quinta generación que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por los que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de otras aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Resistencia de encendido ultrabaja, clasificación dv/dt dinámica
- Cambio rápido, totalmente resistente a avalanchas
- La corriente de drenaje continua VGS a 10V es 110A
- Disipación de potencia máxima de 200W
- El factor de reducción lineal es 1.3W/°C
- El voltaje de puerta a fuente es ±20V
- La energía de avalancha de un solo pulso es de 480mJ
- Encapsulado TO-247AC
- Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento de -55 a + 175 °C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
98A
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
150W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.008ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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