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IRFP250NPBF
N CHANNEL MOSFET, 200V, 30A, TO-247AC
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP250NPBF
No. Parte Newark63J6859
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 10+ | $2.590 |
| 100+ | $2.170 |
| 800+ | $1.830 |
| 1200+ | $1.770 |
| 2800+ | $1.700 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP250NPBF
No. Parte Newark63J6859
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia de Activación Rds(on)0.075ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.075ohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd214W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia214W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRFP250NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal N de 200 V en el paquete TO-247AC. Este MOSFET presenta una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dinámica de dv/dt, facilidad de paralelismo, robustez, cambio rápido, requisitos de unidad simples y una avalancha completa como resultado, los MOSFET de potencia son bien conocidos por proporcionar una eficiencia y confiabilidad extremadamente altas que pueden ser utilizado en una amplia variedad de aplicaciones.
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 200V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 75mohm con Vgs de 10V
- Disipación de potencia Pd de 214W a 25 °C
- Corriente continua de drenaje Id de 30A en Vgs 10V y 25 ° C
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.075ohm
Diseño de Transistor
TO-247AC
Disipación de Potencia Pd
214W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.075ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
214W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRFP250NPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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