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IRFP260NPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP260NPBF
No. Parte Newark63J6864
También conocido comoSP001552016
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $4.500 |
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| 800+ | $1.990 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP260NPBF
No. Parte Newark63J6864
También conocido comoSP001552016
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id50A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.04ohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia300W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRFP260NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal N de 200 V en el paquete TO-247AC. Este MOSFET presenta una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dinámica de dv/dt, facilidad de paralelismo, robustez, cambio rápido, requisitos de unidad simples y una avalancha completa como resultado, los MOSFET de potencia son bien conocidos por proporcionar una eficiencia y confiabilidad extremadamente altas que pueden ser utilizado en una amplia variedad de aplicaciones.
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 200V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 40mohm con Vgs de 10V
- Disipación de potencia Pd de 300W a 25 °C
- Corriente continua de drenaje Id de 50A en Vgs 10V y 25 ° C
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04ohm
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
50A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.04ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
300W
Disipación de Potencia
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto