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IRFP7530PBF
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 195A, TO-247AC-3
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP7530PBF
No. Parte Newark43X7227
También conocido comoSP001560520
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.410 |
| 10+ | $4.060 |
| 25+ | $2.710 |
| 50+ | $2.670 |
| 100+ | $2.640 |
| 250+ | $2.570 |
| 800+ | $2.520 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP7530PBF
No. Parte Newark43X7227
También conocido comoSP001560520
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id195
Resistencia de Activación Rds(on)0.00165ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2000µohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd341W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7
Disipación de Potencia341
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRFP7530PBF es un MOSFET de potencia de canal N HEXFET® que ofrece resistencia mejorada de puerta, avalancha y dV/dt dinámico. Es adecuado para circuitos alimentados por batería, topologías de medio puente y puente completo, aplicaciones de rectificador síncrono, inversores de CD a CA, convertidores de CD a CD y de CA a CD.
- Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS efectivo para simplificar el diseño
- Capacidad dV/dt y di/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00165ohm
Diseño de Transistor
TO-247AC
Disipación de Potencia Pd
341W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
195
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2000µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
341
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFP7530PBF
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto