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IRFR5505TRPBF

Name: INFINEON IRFR5505TRPBF
Brand: INFINEON
SKU: 40M7905
Availability: InStock

MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial

La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteINFINEON

No. Parte FabricanteIRFR5505TRPBF

No. Parte Newark40M7905

También conocido comoSP001573294

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Información del producto

FabricanteINFINEON

No. Parte FabricanteIRFR5505TRPBF

No. Parte Newark40M7905

También conocido comoSP001573294

Hoja de datos técnicos

Data Sheet

Transistor, PolaridadCanal P

Tipo de CanalP Channel

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55

Intensidad Drenador Continua Id18

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.11

Resistencia de Activación Rds(on)0.11ohm

Diseño de TransistorTO-252AA

Montaje de TransistorSurface Mount

Voltaje de Prueba Rds(on)10

Disipación de Potencia Pd57W

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4

Disipación de Potencia57

No. de Pines3Pines

Temperatura de Trabajo Máx.150

Rango de Producto-

Calificación-

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Resumen del producto

El IRFR5505TRPBF es un MOSFET de potencia de canal P único de quinta generación HEXFET® que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona una operación extremadamente eficiente y confiable. Está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura en fase de vapor, infrarrojo o onda. Es posible un nivel de disipación de potencia de hasta 1.5W en aplicaciones típicas de montaje en superficie.

Tecnología de proceso avanzada
Conmutación rápida
Calificación de avalancha completa
Baja resistencia de encendido estática drenaje a fuente
Clasificación dv/dt dinámica
Libre de halógenos

Especificaciones técnicas

Transistor, Polaridad

Canal P

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente

0.11

Diseño de Transistor

TO-252AA

Voltaje de Prueba Rds(on)

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente

No. de Pines

3Pines

Rango de Producto

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

Tipo de Canal

P Channel

Intensidad Drenador Continua Id

Resistencia de Activación Rds(on)

0.11ohm

Montaje de Transistor

Surface Mount

Disipación de Potencia Pd

57W

Disipación de Potencia

Temperatura de Trabajo Máx.

150

Calificación

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

No SVHC (21-Jan-2025)

Documentos técnicos (1)

Technical Data Sheet EN

Alternativas para el número de pieza IRFR5505TRPBF

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Legislación y medioambiente

US ECCN:EAR99

EU ECCN:Unknown

Conforme a RoHS:Sí

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí