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IRFS4227TRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS4227TRLPBF
No. Parte Newark13AC9157
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS4227TRLPBF
No. Parte Newark13AC9157
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id62
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.026ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia330
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IRFS4227TRLPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.026ohm
Diseño de Transistor
TO-263AB
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
62
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
330
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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