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IRL40SC228
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRL40SC228
No. Parte Newark43AC3302
Rango de ProductoStrongIRFET
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRL40SC228
No. Parte Newark43AC3302
Rango de ProductoStrongIRFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id360A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente500µohm
Resistencia de Activación Rds(on)500µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Disipación de Potencia416W
Disipación de Potencia Pd416W
Núm. de Contactos7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoStrongIRFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IRL40SC228
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
HEXFET® Power MOSFET adecuado para su uso en aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas, aplicaciones de accionamiento de motor BLDC, circuitos alimentados por batería, topologías de medio puente y puente completo, aplicaciones de rectificador síncrono, fuentes de alimentación de modo resonante, interruptores de potencia redundantes y de operación OR, Convertidores CD y CA/CD, inversores CD/CA.
- Optimizado para la unidad de nivel lógico
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
500µohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
416W
Núm. de Contactos
7Pines
Rango de Producto
StrongIRFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
360A
Resistencia de Activación Rds(on)
500µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
Disipación de Potencia Pd
416W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto