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IRLB4030PBF
N CHANNEL MOSFET, 100V, 180A, TO-220AB
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|---|---|
| 1+ | $4.540 |
| 10+ | $3.080 |
| 25+ | $2.840 |
| 50+ | $2.610 |
| 100+ | $2.380 |
| 250+ | $2.220 |
| 500+ | $2.040 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLB4030PBF
No. Parte Newark08R4847
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id180
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4300µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0034ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd370W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia370
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRLB4030PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal de 100V con una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápida utilizando la tecnología MOSFET de Zanja. Adecuado para accionamiento de motor de CC, rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de potencia de alta velocidad, conmutación dura y circuitos de alta frecuencia.
- Optimizado para la unidad de nivel lógico
- Muy bajo RDS (ON) a 4.5V VGS
- Superior R*Q a 4.5V VGS
- Solidez de dv/dt dinámica, avalancha y compuerta mejoradas
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4300µohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
370W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
180
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0034ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
370
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRLB4030PBF
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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