Imprimir página
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semana(s)
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $1.890 |
10+ | $1.260 |
100+ | $0.836 |
500+ | $0.705 |
1000+ | $0.671 |
4000+ | $0.657 |
10000+ | $0.625 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.89
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLB4132PBF
No. Parte Newark13AC9224
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id78
Resistencia de Activación Rds(on)0.0025ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0035ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Disipación de Potencia140
Disipación de Potencia Pd140W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia HEXFET® optimizado para aplicaciones UPS/inversor y herramientas eléctricas de bajo voltaje
- El mejor rendimiento de su clase para aplicaciones de UPS/inversores
- Muy bajo RDS (ON) a 4.5V VGS
- Ultra baja Impedancia de compuerta
- Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0025ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
140
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
78
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0035ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
Disipación de Potencia Pd
140W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto