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IXZ2210N50L
Transistor FET RF, 500 V, 10 A, 360 W, 175 MHz
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Información del producto
FabricanteIXYS RF
No. Parte FabricanteIXZ2210N50L
No. Parte Newark42M1939
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id10
Disipación de Potencia360
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Disipación de Potencia Pd360W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.175
Diseño de TransistorSMD
No. de Pines8Pines
Encapsulado de Transistor RF-
Temperatura de Trabajo Máx.175
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Disipación de Potencia
360
Disipación de Potencia Pd
360W
Diseño de Transistor
SMD
Encapsulado de Transistor RF
-
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Intensidad Drenador Continua Id
10
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
175
No. de Pines
8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (12-Jan-2017)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto