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IXFN140N30P
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PolarFET, Canal N, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFN140N30P
No. Parte Newark58M7619
Hoja de datos técnicos
150 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $30.650 |
| 5+ | $29.530 |
| 10+ | $28.440 |
| 30+ | $27.480 |
| 50+ | $26.610 |
| 100+ | $26.100 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$30.65
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFN140N30P
No. Parte Newark58M7619
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds300V
Intensidad Drenador Continua Id140A
Resistencia de Activación Rds(on)0.024ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024ohm
Diseño de TransistorISOTOP
Montaje de TransistorMódulo
Disipación de Potencia Pd700W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia700W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El IXFN140N30P es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N Polar™ con diodo intrínseco rápido (HiPerFET ™). Cuenta con una reducción de la resistencia de encendido estático de drenaje a fuente y alta densidad de potencia. Es adecuado para convertidores de CD a CD, cargadores de batería, interruptores de CD y aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad.
- Calificación de avalancha
- Bajo Qg
- Baja inductancia del paquete.
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
140A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024ohm
Montaje de Transistor
Módulo
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
700W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
300V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.024ohm
Diseño de Transistor
ISOTOP
Disipación de Potencia Pd
700W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto