Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFN24N100
No. Parte Newark14J1684
Hoja de datos técnicos
193 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $54.530 |
5+ | $51.350 |
10+ | $48.160 |
30+ | $48.160 |
50+ | $48.150 |
100+ | $47.630 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$54.53
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFN24N100
No. Parte Newark14J1684
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1kV
Intensidad Drenador Continua Id24A
Resistencia de Activación Rds(on)0.39ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.39ohm
Diseño de TransistorISOTOP
Montaje de TransistorMódulo
Disipación de Potencia Pd600W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.5V
Disipación de Potencia600W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El IXFN24N100 es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N HiPerFET™ con diodo intrínseco rápido y con clasificación de avalancha.
- Paquete estándar internacional
- miniBLOC con aislamiento de nitruro de aluminio
- Grado de inflamabilidad UL94V-0
- Proceso HDMOS™ de bajo RDS (ON)
- Estructura de celda de puerta de polisilicio resistente
- Baja inductancia del paquete.
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
- Alta densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
24A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.39ohm
Montaje de Transistor
Módulo
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
600W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0.39ohm
Diseño de Transistor
ISOTOP
Disipación de Potencia Pd
600W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto