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IXFK180N25T
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 180 A, 0.0129 ohm, TO-264, Agujero Pasante
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFK180N25T
No. Parte Newark03AH0645
Rango de ProductoSerie GigaMOS
Hoja de datos técnicos
280 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFK180N25T
No. Parte Newark03AH0645
Rango de ProductoSerie GigaMOS
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id180
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0129
Resistencia de Activación Rds(on)0.0129ohm
Diseño de TransistorTO-264
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia Pd1.39kW
Disipación de Potencia1.39
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie GigaMOS
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0129
Diseño de Transistor
TO-264
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
1.39kW
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
180
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0129ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia
1.39
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie GigaMOS
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto