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IXTA1N200P3HV
MOSFET de Potencia, Canal N, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-263HV, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTA1N200P3HV
No. Parte Newark03AH1261
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds2
Intensidad Drenador Continua Id1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente40
Resistencia de Activación Rds(on)40ohm
Diseño de TransistorTO-263HV
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd125W
Disipación de Potencia125
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
40
Diseño de Transistor
TO-263HV
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
125W
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1
Resistencia de Activación Rds(on)
40ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto