Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
5 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $46.160 |
5+ | $42.610 |
10+ | $39.050 |
25+ | $35.490 |
100+ | $31.930 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$46.16
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTH1N450HV
No. Parte Newark03AH1450
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds4.5
Intensidad Drenador Continua Id1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente80
Resistencia de Activación Rds(on)80ohm
Diseño de TransistorTO-247HV
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6
Disipación de Potencia520
Disipación de Potencia Pd520W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
MOSFET de potencia de alto voltaje en modo de mejora de canal N adecuado para su uso en fuentes de alimentación de alto voltaje, aplicaciones de descarga de capacitores, circuito de pulso y aplicaciones de sistemas de generación de rayos X y láser.
- Alto voltaje de bloqueo
- MOSFET de potencia de alto voltaje
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
- Alta densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
4.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
80
Diseño de Transistor
TO-247HV
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
520
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1
Resistencia de Activación Rds(on)
80ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6
Disipación de Potencia Pd
520W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto