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IXTT1N250HV
MOSFET de Potencia, Canal N, 2.5 kV, 1.5 A, 40 ohm, TO-268 (D3PAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteIXYS RF
No. Parte FabricanteIXTT1N250HV
No. Parte Newark03AH1801
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds2.5
Intensidad Drenador Continua Id1.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente40
Resistencia de Activación Rds(on)40ohm
Diseño de TransistorTO-268 (D3PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd250W
Disipación de Potencia250
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
2.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
40
Diseño de Transistor
TO-268 (D3PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
250W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.5
Resistencia de Activación Rds(on)
40ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (12-Jan-2017)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto