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Información del producto
Resumen del producto
MT29F2G08ABAEAH4 es una memoria flash NAND que incluye una interfaz de datos asíncrona para operaciones de E/S de alto rendimiento. Este dispositivo utiliza un bus de 8 bits altamente multiplexado (E/Ox) para transferir comandos, direcciones y datos. Hay cinco señales de control que se utilizan para implementar la interfaz de datos asincrónica: CE#, CLE, ALE, WE#, y RE#. Las señales adicionales controlan la protección contra escritura del hardware y monitorean el estado del dispositivo (R/B#). Esta interfaz de hardware crea un dispositivo con un número bajo de pines y una distribución de pines estándar que permanece igual de una densidad a otra, lo que permite futuras actualizaciones a densidades más altas sin necesidad de rediseñar la placa. Un objetivo es la unidad de memoria a la que se accede mediante una señal de habilitación del chip. Un objetivo contiene una o más memorias flash NAND. Una memoria NAND Flash es la unidad mínima que puede ejecutar comandos de forma independiente y reportar el estado. En la especificación ONFI, una memoria Flash NAND se denomina unidad lógica (LUN). Hay al menos una memoria Flash NAND por cada señal de habilitación de chip.
- Tecnología de celda de un solo nivel (SLC), rendimiento de E/S asíncrono, rendimiento de matriz
- El borrado de bloque es de 700µs (típico), el conjunto de comandos es el protocolo flash NAND ONFI
- Conjunto de comandos avanzado, modo programable una sola vez (OTP)
- Operaciones de matriz intercalada (LUN), lectura de ID único, movimiento de datos internos
- El byte de estado de operación proporciona un método de software para detectar
- Condición de aprobación/rechazo, estado de protección contra escritura, RESET (FFh) requerido como primer comando después del encendido
- Método alternativo de inicialización del dispositivo (Nand-Init) después del encendido (comuníquese con la fábrica)
- Densidad de 2 Gb, ancho de dispositivo de 8 bits, nivel SLC
- Voltaje de funcionamiento de 3.3V (2.7–3.6V), interfaz asíncrona
- Paquete VFBGA de 63 bolas, rango de temperatura de funcionamiento comercial de 0 °C a 70 °C
Especificaciones técnicas
NAND SLC
2
256M x 8bit
Parallel
VFBGA
50MHz
16
3.6
Surface Mount
70
MSL 3 - 168 hours
2Gbit
256M x 8bit
Paralelo
VFBGA
63Pines
50
2.7
3.3
0
3.3V Parallel NAND Flash Memories
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto