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Información del producto
Resumen del producto
MT29F2G08ABBEAH4 es una memoria flash NAND. Este dispositivo flash NAND incluye una interfaz de datos asincrónica para operaciones de E/S de alto rendimiento. Este dispositivo utiliza un bus de 8 bits altamente multiplexado (E/Ox) para transferir comandos, direcciones y datos. Hay cinco señales de control que se utilizan para implementar la interfaz de datos asincrónica: CE#, CLE, ALE, WE#, y RE#. Las señales adicionales controlan la protección contra escritura del hardware y monitorean el estado del dispositivo (R/B#). Esta interfaz de hardware crea un dispositivo con un número bajo de pines y una distribución de pines estándar que permanece igual de una densidad a otra, lo que permite futuras actualizaciones a densidades más altas sin necesidad de rediseñar la placa. Un objetivo es la unidad de memoria a la que se accede mediante una señal de habilitación del chip. Un objetivo contiene una o más memorias flash NAND. Una memoria NAND Flash es la unidad mínima que puede ejecutar comandos e informar el estado de forma independiente. En la especificación ONFI, una memoria Flash NAND se denomina unidad lógica (LUN). Hay al menos una memoria Flash NAND por cada señal de habilitación de chip.
- Tecnología de celda de un solo nivel (SLC), rendimiento de E/S asíncrono, rendimiento de matriz
- El borrado de bloque es de 700µs (típico), el conjunto de comandos es el protocolo flash NAND ONFI
- Conjunto de comandos avanzado, modo programable una sola vez (OTP)
- El byte de estado de operación proporciona un método de software para detectar la finalización de la operación.
- El primer bloque (dirección de bloque 00h) es válido cuando se envía desde fábrica con ECC
- El bloque 0 requiere ECC de 1 bit si los ciclos de PROGRAMACIÓN/BORRADO son menores a 1000
- RESET (FFh) requerido como primer comando después del encendido, calidad y confiabilidad
- Densidad de 2 Gb, ancho de dispositivo de 8 bits, nivel SLC
- Voltaje de funcionamiento de 1.8V (1.7–1.95V), interfaz asíncrona
- Paquete VFBGA de 63 bolas, rango de temperatura de funcionamiento industrial de -40 °C a 85 °C
Especificaciones técnicas
NAND SLC
2
256M x 8bit
Parallel
VFBGA
50
22
1.95
Surface Mount
85
No SVHC (17-Jan-2023)
2Gbit
256M x 8bit
Paralelo
VFBGA
63Pines
50MHz
1.7
1.8
-40
1.8V Parallel NAND Flash Memories
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto