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BSH103,215
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 850MA, 3-SOT-23
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSH103,215
No. Parte Newark75R4687
Hoja de datos técnicos
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Alternativas para el número de pieza BSH103,215
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
The BSH103 from NXP is a surface mount, N channel enhancement mode MOS transistor in SOT-23 package using TrenchMOS technology. This transistor features very low threshold, high speed switching, no secondary breakdown and direct interface to CMOS, TTL. BSH103 is designed and qualified for use in high frequency applications, glue logic interface between logic blocks or periphery, computing, battery powered applications.
- Suitable for use with all 5V logic families
- Suitable for very low gate drive sources
- Drain to source voltage (Vds) of 30V
- Gate to source voltage of ±8V
- Drain current (Id) of 850mA
- Power dissipation (Pd) of 750mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Aplicaciones
Administración de Potencia, Electrónica de Consumo, Dispositivos Portátiles, Industrial
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Especificaciones técnicas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto