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GAN080-650EBEZ
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.300 |
| 10+ | $9.230 |
| 25+ | $9.150 |
| 50+ | $8.980 |
| 100+ | $8.800 |
| 250+ | $8.560 |
| 500+ | $8.320 |
| 1000+ | $8.200 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteGAN080-650EBEZ
No. Parte Newark74AK7561
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id29
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Carga de Compuerta Típica6.2
Diseño de TransistorDFN8080
Montaje de TransistorSurface Mount
Núm. de Contactos8Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
Diseño de Transistor
DFN8080
Núm. de Contactos
8Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
29
Carga de Compuerta Típica
6.2
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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