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GANB4R8-040CBAZ
Transistor de nitruro de galio (GaN), 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.660 |
| 10+ | $2.000 |
| 25+ | $1.860 |
| 50+ | $1.730 |
| 100+ | $1.600 |
| 250+ | $1.490 |
| 500+ | $1.370 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteGANB4R8-040CBAZ
No. Parte Newark03AM5299
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds-
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Carga de Compuerta Típica15.8
Diseño de TransistorWLCSP
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines22Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
-
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
WLCSP
No. de Pines
22Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
20
Carga de Compuerta Típica
15.8
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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