Imprimir página
MMBT2222A,215
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Conmutación, NPN, 40 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
19,118 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.016 |
| 10+ | $0.016 |
| 25+ | $0.016 |
| 50+ | $0.016 |
| 100+ | $0.016 |
| 250+ | $0.016 |
| 500+ | $0.016 |
| 1000+ | $0.016 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.02
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteMMBT2222A,215
No. Parte Newark34R4174
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor40V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente de Colector Continua600mA
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia250mW
Diseño de TransistorSOT-23
Corriente de Colector DC0
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorSurface Mount
Núm. de Contactos3Pines
Frecuencia de Transición300MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
MMBT2222A,215 is a NPN switching transistor. Application includes switching and linear amplification.
- Collector cut-off current is 10nA max (IE = 0; VCB = 60V, Tj = 25°C)
- Emitter cut-off current is 10nA max (IC = 0; VEB = 5V, Tj = 25 °C)
- DC current gain is 35mA min (IC = 0.1mA; VCE = 10V, Tj = 25°C)
- Collector-emitter saturation voltage is 300mV max (IC = 150mA; IB = 15mA, Tj = 25°C)
- Base-emitter saturation voltage range from 0.6 to 1.2V (IC = 150mA; IB = 15mA, Tj = 25°C)
- Collector capacitance is 8pF max (IE = ie = 0; VCB = 10V; f = 1MHz, Tj = 25°C)
- Emitter capacitance is 25pF max (IC = ic = 0, VEB = 500mV, f = 1MHz, Tj = 25°C)
- Transition frequency is 300MHz min (IC = 20 mA; VCE = 20V, f = 10 MHz, Tj = 25°C)
- Noise figure is 4dB max (IC = 100µA, VCE = 5V, RS = 1kohm, f = 1KHz, Tj = 25°C)
- SOT23 package, operating ambient temperature range from -65 to +150°C, AEC-Q101 qualified
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
40V
Corriente de Colector Continua
600mA
Disipación de Potencia
250mW
Corriente de Colector DC
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
300MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza MMBT2222A,215
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto