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PMV28ENEAR
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 30V, 4.4A, 0.66W ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.708 |
| 10+ | $0.554 |
| 25+ | $0.494 |
| 50+ | $0.436 |
| 100+ | $0.375 |
| 250+ | $0.332 |
| 500+ | $0.290 |
| 1000+ | $0.261 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV28ENEAR
No. Parte Newark17AH9241
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id4.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia660mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028ohm
Diseño de Transistor
TO-263AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
4.4A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
660mW
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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