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AFT05MS006NT1
TRANSISTOR, RF, 30V, PLD-1.5W-2
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteAFT05MS006NT1
No. Parte Newark31AC6115
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30VDC
Intensidad Drenador Continua Id-
Disipación de Potencia128W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.136MHz
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.941MHz
Diseño de TransistorPLD-1.5W
Encapsulado de Transistor RF0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30VDC
Disipación de Potencia
128W
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
PLD-1.5W
No. de Pines
3Pines
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
136MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
941MHz
Encapsulado de Transistor RF
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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