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AFT09MS015NT1
Transistor FET RF, 40 VDC, 125 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteAFT09MS015NT1
No. Parte Newark44X7175
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40VDC
Intensidad Drenador Continua Id-
Disipación de Potencia125W
Disipación de Potencia Pd125W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.136MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.941MHz
Diseño de TransistorPLD-1.5W
Encapsulado de Transistor RFPLD-1.5W
Núm. de Contactos2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
- Transistor LDMOS de potencia RF
- Caracterizado para operación de 136 a 941MHz.
- Entrada y salida inigualables que permiten una amplia gama de frecuencias de utilización
- Protección ESD integrada
- Mejoras de estabilidad integradas
- Rendimiento térmico excepcional
- MOSFET lateral de modo de mejora de canal N de alta robustez
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40VDC
Disipación de Potencia
125W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
136MHz
Diseño de Transistor
PLD-1.5W
Núm. de Contactos
2Pines
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Intensidad Drenador Continua Id
-
Disipación de Potencia Pd
125W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
941MHz
Encapsulado de Transistor RF
PLD-1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto