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AFT09MS031NR1
Transistor FET RF, 40 VDC, 31 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteAFT09MS031NR1
No. Parte Newark28W3505
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40VDC
Intensidad Drenador Continua Id-
Disipación de Potencia31W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.136MHz
Disipación de Potencia Pd31W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.520MHz
Diseño de TransistorTO-270
Núm. de Contactos2Pines
Encapsulado de Transistor RFTO-270
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40VDC
Disipación de Potencia
31W
Disipación de Potencia Pd
31W
Diseño de Transistor
TO-270
Encapsulado de Transistor RF
TO-270
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
136MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
520MHz
Núm. de Contactos
2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Brida
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (4)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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