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BFU710F,115
RF TRANSISTOR, NPN, 2.8V, 43GHZ, SOT343F
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FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBFU710F,115
No. Parte Newark31AC6252
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.883 |
| 10+ | $0.567 |
| 25+ | $0.523 |
| 50+ | $0.479 |
| 100+ | $0.437 |
| 250+ | $0.434 |
| 500+ | $0.432 |
| 1000+ | $0.430 |
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBFU710F,115
No. Parte Newark31AC6252
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor2.8V
Frecuencia de Transición43GHz
Disipación de Potencia136mW
Disipación de Potencia Pd0
Corriente del Colector Continua2mA
Corriente de Colector DC0
Ganancia de Corriente DC hFE0
Diseño de TransistorSOT-343F
Encapsulado de Transistor RF0
No. de Pines4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.200hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
2.8V
Disipación de Potencia
136mW
Corriente del Colector Continua
2mA
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Encapsulado de Transistor RF
0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
200hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Frecuencia de Transición
43GHz
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Diseño de Transistor
SOT-343F
No. de Pines
4Pines
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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